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在2029至2031年,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。他们公布的产品线路图涵盖了HBM、
DRAM市场方面,面向AI市场有专用的高密度NAND。
NAND方面,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,在NAND方面,12层和16层堆叠的HBM4E,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。并不是GDDR8,还有定制款的HBM4E。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,
在2026至2028年,DRAM和NAND,HBM5E以及其定制版本,下面我们一起来看看他们的线路图。目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,